2SK2313 — N-канальный MOSFET 60В 60А в корпусе TO-3P | Магазин Электроника
Loading

2SK2313 — N-канальный MOSFET 60В 60А в корпусе TO-3P

234,00 ₽
310,00 ₽
Loading
В наличии: 4 шт.
N-канальный силовой MOSFET 60В/60А с RDS(on) 8мОм, предназначенный для импульсных источников питания, DC-DC преобразователей и приводов двигателей
494553

2SK2313 - это N-канальный силовой полевой транзистор MOSFET от компании Toshiba, специально разработанный для высокоскоростных коммутационных применений. Транзистор оптимизирован для работы в качестве ключа в импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях и драйверах двигателей.

Основными преимуществами данного компонента являются низкое сопротивление канала в открытом состоянии (всего 8 мОм при 10В на затворе), высокая крутизна передаточной характеристики (60 S), низкий ток утечки (до 100 мкА) и возможность управления логическим уровнем 4В. Транзистор способен коммутировать токи до 60А при напряжении сток-исток до 60В.

Благодаря конструкции в корпусе TO-3P с возможностью крепления на радиатор, 2SK2313 подходит для применений с высокой рассеиваемой мощностью до 150Вт. Транзистор обеспечивает стабильную работу в диапазоне температур до 150°C перехода и характеризуется высокой надежностью при лавинном пробое.

Данный компонент широко применяется в профессиональной силовой электронике, системах управления двигателями, импульсных стабилизаторах напряжения и других устройствах, требующих эффективной коммутации больших токов на высоких частотах.

Бренд Toshiba
Страна-изготовитель Япония
Выходная мощность, Вт 150
Тип канала N-Channel
Напряжение VDSS, В 60
Ток стока ID, А 60
RDS(on) @ 10V, мОм 8
Корпус TO-3P
Макс. температура перехода, °C 150
Выходная ёмкость, пФ 2600
Количество каналов 1
Тип монтажа На печатную плату
Рабочая температура, °C -55 до +150°C
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 150
Общий заряд затвора Qg, нК 170
Максимальный импульсный ток IDM, А 240
Максимальное напряжение затвор-исток VGS(max), В 20
Напряжение затвор-сток VGSth(min), В 0.8
Напряжение затвор-сток VGSth(max), В 2
Ток утечки стока при VDS=max, мкА 100
Ток утечки затвора при VGS=max, мкА 10
Технология изготовления L²-π-MOSV
Прямая передаточная проводимость Yfs, С 60

Сведения
Нет отзывов
Добавить свой отзыв

Корзина

Ваша корзина пуста.