FQP50N06 представляет собой высокоэффективный N-канальный MOSFET транзистор в корпусе TO-220, разработанный для силовых коммутационных применений. Транзистор изготовлен по технологии DMOS с низким сопротивлением открытого канала всего 22мОм при напряжении затвора 10В.

Транзистор обеспечивает быструю коммутацию благодаря низкому заряду затвора 31нК и малой выходной ёмкости 65пФ. Максимальная рабочая температура перехода составляет 175°С, что позволяет использовать компонент в широком диапазоне рабочих условий.

Идеально подходит для применения в импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях, усилителях мощности, драйверах двигателей и других силовых коммутационных схемах. Транзистор протестирован на 100% лавинную прочность и обладает улучшенными dv/dt характеристиками.