G50T65D — биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) от компании Jiangsu Donghai Semiconductor, использующий собственную технологию Trench и передовую технологию Field Stop (FS). Транзистор предлагает превосходные коммутационные характеристики и высокую стойкость к лавинному пробою.

Основные особенности включают технологию FS Trench с положительным температурным коэффициентом, низкое напряжение насыщения VCE(sat) типично 2.0В при IC=50А и температуре перехода 25°C, а также исключительно высокую стойкость к лавинному пробою.

Транзистор выполнен в корпусе TO-3PN и оснащен встроенным быстровосстанавливающимся диодом. Изделие подходит для применения в сварочном оборудовании, источниках бесперебойного питания (UPS) и трёхуровневых инверторах.

Тепловое сопротивление переход-корпус составляет 0.47°C/Вт для IGBT секции, что обеспечивает эффективное отведение тепла в мощных приложениях.