GT30F124 — биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) от Toshiba, предназначенный для силовых электронных приложений. Компонент объединяет преимущества MOSFET (высокий входной импеданс) с возможностями биполярных транзисторов (высоковольтное управление).

Основные характеристики: максимальное напряжение коллектор-эмиттер 300В, максимальный ток коллектора 200А, корпус TO-220SIS. Транзистор обеспечивает быстрое переключение, низкое напряжение насыщения даже при больших токах и имеет встроенный диод с оптимизированными характеристиками.

Используется в инверторах и схемах преобразования питания: драйверы двигателей, источники бесперебойного питания (ИБП), индукционные плиты, плазменные дисплеи (PDP), стробоскопические вспышки и другие системы силовой электроники. Максимальная рабочая температура 175°C.