GT30F131 представляет собой дискретный N-канальный IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) производства Toshiba, предназначенный для высокомощных коммутационных применений. Транзистор обеспечивает максимальное напряжение коллектор-эмиттер 360В и импульсный ток коллектора до 200А при температуре 25°C.

Транзистор выполнен в корпусе TO-220SM (TO-263) с отличными тепловыми характеристиками и максимальной рассеиваемой мощностью 140Вт. Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.9В обеспечивает минимальные потери мощности и высокую эффективность системы.

Основные области применения включают драйверы двигателей, источники бесперебойного питания (UPS), системы индукционного нагрева, плазменные дисплейные панели, импульсные источники питания и промышленную автоматизацию. IGBT технология обеспечивает быстрое переключение при высоком входном сопротивлении, что позволяет использовать схемы управления напряжением.