⚡ Магазин работает! Электронные компоненты в наличии • Доставка по России • Оплата онлайн ⚡

IRF540NPBF — N-канальный MOSFET 100В 33А Infineon

Name: IRF540NPBF — N-канальный MOSFET 100В 33А Infineon
Price: 56.00 RUB
Availability: InStock

0 отзывы

Добавить свой отзыв

56,00 ₽

~~86,00 ₽~~

N-канальный силовой MOSFET 100В, 33А, корпус TO-220AB, RDS(on) 44мОм при VGS=10В от Infineon Technologies

334587

IRF540NPBF — N-канальный MOSFET 100В 33А Infineon

IRF540NPBF — мощный N-канальный силовой MOSFET от Infineon Technologies в корпусе TO-220AB. Транзистор обеспечивает высокую производительность при коммутации больших токов до 33А при напряжении сток-исток до 100В.

Основные особенности включают низкое сопротивление сток-исток 44мОм при VGS=10В, быструю коммутацию и полную лавинную стойкость. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 130Вт при соответствующем охлаждении.

Транзистор оптимизирован для применения в импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях, инверторах, контроллерах двигателей и других силовых коммутационных схемах. Рабочая температура от -55°C до +175°C обеспечивает надежную работу в широком диапазоне условий.

Высокое качество изготовления и технология HEXFET от Infineon гарантируют стабильные характеристики и долговечность компонента.

Бренд	Infineon Technologies
Страна-изготовитель	Германия
Выходная мощность, Вт	40
Тип канала	N-Channel
Напряжение VDSS, В	100
Ток стока ID, А	33
RDS(on) @ 10V, мОм	44
Корпус	TO-220-3
Макс. температура перехода, °C	175
Выходная ёмкость, пФ	250
Количество каналов	1
Тип монтажа
Рабочая температура, °C	-55°C ~ +175°C
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	130
Общий заряд затвора Qg, нК	71
Емкость затвор-сток Crss, пФ	40
Максимальное напряжение затвор-исток VGS(max), В	20
Входная емкость Ciss, пФ	1960
Заряд затвор-сток Qgd, нК	21
Напряжение затвор-сток VGSth(min), В	2
Напряжение затвор-сток VGSth(max), В	4
Технология изготовления	HEXFET
Время задержки включения td(on), нс	11