IRFP064N — это N-канальный силовой MOSFET пятого поколения от International Rectifier (теперь Infineon), выполненный по технологии HEXFET. Транзистор обеспечивает сверхнизкое сопротивление открытого канала всего 8 мОм при напряжении затвор-исток 10В.

Основные характеристики включают максимальное напряжение сток-исток 55В, непрерывный ток стока до 110А и максимальную рассеиваемую мощность 200Вт (при температуре корпуса 25°C). Транзистор имеет быстрое переключение с временем нарастания 100 нс и полностью протестирован на лавинный пробой.

Транзистор поставляется в корпусе TO-247AC с изолированным центральным монтажным отверстием, что делает его идеальным для коммерческих и промышленных применений, где требуются высокие уровни мощности. Рабочая температура от -55°C до +175°C обеспечивает надежную работу в широком диапазоне условий эксплуатации.

Области применения: DC-DC преобразователи, инверторы, импульсные блоки питания, драйверы двигателей, осветительные системы и коммутаторы нагрузки.