IRFP064N — силовой N-канальный MOSFET транзистор пятого поколения HEXFET от Infineon Technologies (ранее International Rectifier), использующий передовые технологии обработки для достижения ультранизкого сопротивления открытого канала на единицу площади кремния.

Основные характеристики: максимальное напряжение сток-исток 55В, непрерывный ток стока до 110А при температуре 25°C, минимальное сопротивление открытого канала всего 8мОм при напряжении затвора 10В. Транзистор способен рассеивать мощность до 200Вт и работать при температурах от -55°C до +175°C.

Транзистор поставляется в корпусе TO-247AC, который предпочтителен для промышленных применений, где требуются высокие уровни мощности. Корпус превосходит более ранний TO-218 благодаря изолированному монтажному отверстию. Устройство полностью протестировано на лавинный пробой и имеет быстрое переключение, что делает его идеальным для импульсных источников питания, инверторов, DC-моторов и других силовых применений.