КТ814Г — PNP транзистор 100В 1.5А 10Вт | Магазин Электроника
Loading

КТ814Г — PNP транзистор 100В 1.5А 10Вт

54,00 ₽
84,00 ₽
Loading
В наличии: 31 шт.
Кремниевый биполярный PNP транзистор КТ814Г от ИНТЕГРАЛ. Напряжение к-э 100В, ток коллектора 1.5А, мощность 10Вт, корпус КТ-27.
335856

КТ814Г — кремниевый биполярный транзистор PNP структуры большой мощности производства ОАО «ИНТЕГРАЛ» (Беларусь). Выполнен по мезаэпитаксиально-планарной технологии, что обеспечивает высокую надёжность и стабильность параметров.

Транзистор предназначен для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях напряжения и импульсных устройствах. Широко используется в линейных и ключевых схемах радиоэлектронной аппаратуры общего назначения.

Основные параметры: максимальное напряжение коллектор-эмиттер 100В, максимальный ток коллектора 1.5А, рассеиваемая мощность до 10Вт с радиатором. Статический коэффициент передачи тока h21э не менее 30-40. Граничная частота 3МГц. Рабочий диапазон температур от -60°C до +125°C.

Выпускается в пластмассовом корпусе КТ-27 (аналог TO-126) с тремя гибкими выводами. Масса транзистора не более 1г. Является аналогом импортного BD140.

Материал Кремний
Корпус КТ-27
Макс. температура перехода, °C 150
Полярность PNP
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, В 100
Максимальное напряжение эмиттер-база, В 5
Максимальный ток коллектора, А 1
Максимальная рассеиваемая мощность с радиатором, Вт 10
Граничная частота, МГц 3
Максимальный импульсный ток коллектора, А 3
Структура p-n-p
Статический коэффициент передачи тока h21э 30
Максимальная рабочая температура, °C 125
Минимальная рабочая температура, °C -60
Емкость коллектора, пФ 60
Масса транзистора, г 0.9
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 0.6
Обратный ток коллектора, мА 0.05
Ёмкость эмиттерного перехода, пФ 75
Тепловое сопротивление переход-корпус, °C/Вт 10
Напряжение база-эмиттер насыщения, В 1.2

Сведения
Нет отзывов
Добавить свой отзыв

Корзина

Ваша корзина пуста.