RJP30H2A — высокоскоростной N-канальный IGBT транзистор от компании Renesas, предназначенный для силовых коммутационных применений. Устройство изготовлено по технологии траншейного затвора и тонкой подложки (серия G6H-II), что обеспечивает превосходные характеристики переключения.

Транзистор характеризуется низким напряжением насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat) = 1.4В типичное), высокой скоростью переключения (время спада tf = 100-180 нс) и малым током утечки (ICES = 1 мА максимум). Максимальное напряжение коллектор-эмиттер составляет 360В, ток коллектора — 35А при температуре 25°C.

Используется в инверторах, источниках питания, системах управления двигателями и других силовых электронных устройствах, где требуется эффективное переключение при высоких напряжениях и токах. Корпус TO-263AB обеспечивает хороший теплоотвод и удобство монтажа.