| Бренд | Silan Microelectronics |
|---|---|
| Страна-изготовитель | Китай |
| Корпус | TO-3P |
| Мощность, Вт | 380 |
| Напряжение Vces, В | 600 |
| Ток коллектора Ic, А | 40 |
| Напряжение насыщения Vce(sat), В | 1.8 |
| Макс. температура перехода, °C | 150 |
| Встроенный диод | Да |
| Напряжение затвор-эмиттер макс, В | 20 |
| Пороговое напряжение затвора, В | 5 |
| Импульсный ток, А | 120 |
| Заряд затвора, нКл | 100 |
| Время нарастания, нс | 88 |
| Выходная ёмкость, пФ | 190 |