SGT40N60FD2PN, транзистор 600В, 40А | Магазин Электроника
Loading

SGT40N60FD2PN, транзистор 600В, 40А

120,00 ₽
163,00 ₽
Loading
В наличии: 34 шт.
IGBT-транзистор третьего поколения Field Stop с улучшенными характеристиками переключения.
563203

IGBT-транзистор третьего поколения Field Stop с улучшенными характеристиками переключения. По сравнению с предыдущей серией NPFD имеет более высокую мощность рассеивания (380 Вт против 290 Вт). Встроенный быстровосстанавливающийся диод позволяет использовать в мостовых схемах без внешних диодов.

Применение

Индукционный нагрев (индукционные плиты, сварочные инверторы)
Источники бесперебойного питания (UPS)
Импульсные источники питания (SMPS)
Корректоры коэффициента мощности (PFC)

Бренд Silan Microelectronics
Страна-изготовитель Китай
Корпус TO-3P
Мощность, Вт 380
Напряжение Vces, В 600
Ток коллектора Ic, А 40
Напряжение насыщения Vce(sat), В 1.8
Макс. температура перехода, °C 150
Встроенный диод Да
Напряжение затвор-эмиттер макс, В 20
Пороговое напряжение затвора, В 5
Импульсный ток, А 120
Заряд затвора, нКл 100
Время нарастания, нс 88
Выходная ёмкость, пФ 190

Сведения
Нет отзывов
Добавить свой отзыв

Корзина

Ваша корзина пуста.