SGT40N60NPFD, Транзистор IGBT 600В, 40А, TO-3P | Магазин Электроника
Loading

SGT40N60NPFD, Транзистор IGBT 600В, 40А, TO-3P

120,00 ₽
159,00 ₽
Loading
В наличии: 20 шт.
Транзистор с улучшенными характеристиками для эффективного управления мощностью в различных электронных устройствах.
559779

IGBT-транзистор с технологией Field Stop, оптимизированный для применений с низкими потерями проводимости и коммутации. Встроенный быстровосстанавливающийся диод (FRD) позволяет использовать транзистор в мостовых схемах без внешних диодов. Положительный температурный коэффициент Vce(sat) обеспечивает простое параллельное включение нескольких транзисторов.

Применение:
- Индукционный нагрев (индукционные плиты, сварочные инверторы)
- Источники бесперебойного питания (UPS)
- Импульсные источники питания (SMPS)
- Корректоры коэффициента мощности (PFC)
- Сварочные инверторы
- Солнечные инверторы

Бренд Silan Microelectronics
Страна-изготовитель Китай
Корпус TO-3P
Мощность, Вт 290
Напряжение Vces, В 600
Ток коллектора Ic, А 40
Напряжение насыщения Vce(sat), В 1.8
Макс. температура перехода, °C 150
Встроенный диод Да
Напряжение затвор-эмиттер макс, В 20
Пороговое напряжение затвора, В 5
Импульсный ток, А 120
Заряд затвора, нКл 100
Время нарастания, нс 80
Выходная ёмкость, пФ 180
Тепловое сопротивление, °C/Вт 0.24

Сведения
Нет отзывов
Добавить свой отзыв

Корзина

Ваша корзина пуста.