SGT50T65FD1PN — это высокоэффективный IGBT транзистор Field Stop технологии от компании Silan Microelectronics с номинальным напряжением коллектор-эмиттер 650В и максимальным током коллектора 50А при температуре 25°C. Транзистор оснащен встроенным антипараллельным диодом быстрого восстановления.

Транзистор имеет низкие потери проводимости с напряжением насыщения VCE(sat) всего 2.2В при токе 50А, что обеспечивает высокий КПД. Быстрое переключение с временем нарастания 145 нс и низким зарядом затвора 145 нКл делает его идеальным для высокочастотных применений.

Основные области применения включают индукционный нагрев, источники бесперебойного питания (ИБП), импульсные блоки питания (SMPS) и схемы коррекции коэффициента мощности (PFC). Корпус TO-3P обеспечивает эффективное отведение тепла и удобство монтажа.