SIHG20N50C-E3 — высокопроизводительный N-канальный силовой MOSFET от Vishay Siliconix, предназначенный для импульсных источников питания и общих силовых применений. Транзистор обеспечивает максимальное напряжение сток-исток 500В и постоянный ток стока 20А при температуре корпуса 25°C.

Ключевые особенности включают низкое сопротивление канала RDS(on) 270мОм при VGS=10В, высокий импульсный ток до 80А и максимальную рассеиваемую мощность 250Вт. Транзистор имеет улучшенный заряд затвора Qg=76нК, что обеспечивает быстрое переключение.

Компонент выполнен в корпусе TO-247AC с тремя выводами и рассчитан на работу в диапазоне температур от -55°C до +150°C. 100% тестирование на лавинный пробой гарантирует высокую надежность. Соответствует директиве RoHS и не содержит галогенов согласно IEC 61249-2-21.