⚡ Магазин работает! Электронные компоненты в наличии • Доставка по России • Оплата онлайн ⚡

TIP127 — PNP Дарлингтон транзистор 100В 5А TO-220 JSMSEMI

Name: TIP127 — PNP Дарлингтон транзистор 100В 5А TO-220 JSMSEMI
Price: 54.00 RUB
Availability: InStock

0 отзывы

Добавить свой отзыв

54,00 ₽

~~83,00 ₽~~

PNP Дарлингтон транзистор в корпусе TO-220. Макс. ток коллектора 5А, напряжение коллектор-эмиттер 100В. Высокий коэффициент усиления hFE до 2500.

563521

TIP127 — PNP Дарлингтон транзистор 100В 5А TO-220 JSMSEMI

TIP127 — мощный PNP биполярный транзистор в Дарлингтоновской конфигурации от производителя JSMSEMI. Изготовлен по планарной эпитаксиальной технологии с монолитной структурой Дарлингтона в корпусе TO-220.

Транзистор обеспечивает исключительно высокий коэффициент усиления тока (hFE до 2500 при IC=4А) в сочетании с низким напряжением насыщения коллектор-эмиттер. Максимальный постоянный ток коллектора составляет 5А, импульсный — до 8А.

Предназначен для применения в линейных усилителях мощности, ключевых схемах, драйверах двигателей и других приложениях общего назначения. Дополнительным NPN транзистором является TIP122.

Оснащен встроенными шунтирующими резисторами база-эмиттер для повышения надежности. Рабочий температурный диапазон от -65°C до +150°C.

Материал	Кремний
Корпус	TO-220-3
Макс. температура перехода, °C	150
Полярность	PNP
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, В	100
Максимальное напряжение эмиттер-база, В	5
Максимальный ток коллектора, А	5
Максимальная рассеиваемая мощность с радиатором, Вт	65
Максимальная рассеиваемая мощность без радиатора, Вт	2
Максимальный импульсный ток коллектора, А	8
Структура	Дарлингтон
Максимальная рабочая температура, °C	150
Минимальная рабочая температура, °C	-65
Максимальное напряжение коллектор-база, В	100
Максимальный ток базы, А	0.12
Тепловое сопротивление переход-корпус, °C/Вт	2
Коэффициент усиления hFE минимальный	1000
Тепловое сопротивление переход-окружающая среда, °C/Вт	62.5
Типичный коэффициент усиления hFE	2500
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IC=3А, В	2
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IC=5А, В	4
Напряжение включения база-эмиттер VBE(on), В	2.5
Обратный ток коллектор-эмиттер ICEO, мА	2